
主要技术指标
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加速电压:离子束 500V~30kV,电子束 200V~30kV
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离子源种类:液态 Ga 离子源
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分辨率:离子束 ≤5nm@30kV;电子束≤1.0nm@15kV,≤1.6nm@1kV
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探针电流:≤65nA (FIB);1pA~400nA(SEM)
主要配置与附件
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金属沉积系统:可在离子束、电子束诱导下进行Pt 等金属的沉积
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可用探头:二次电子探测器、高分辨背散射电子探测器
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敏感样品传输系统:防止样品转移过程中造成的污染
功能用途及样品要求
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功能及特点:主要材料的剥离、沉积、注入等加工工艺;除聚焦离子束(FIB)的功能外,兼具扫描电子显微镜(SEM)的成像功能。主要功能 TEM 透射电镜样品制备,SEM 扫描电子显微镜结构分析—可以进行二次电子形貌分析、背散射衬度分析。微纳结构加工 Easylift 纳米操作手、离子束切割等的配合下,可以进行各种微纳材料的搬运和加工。
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测样要求:非磁性块体和粉末材料
联系方式
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仪器安放地点:深圳大学城北大园区 B 栋 110
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仪器负责人:南博文
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联系电话:18535961899
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Email:nanbw@pkusz.edu.cn
仪器预约与收费标准
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预约说明:接受校内预约,校外预约请直接联系仪器负责人
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收费说明:见价目表