分辨率：

点分辨率 0.19nm；线分辨率 0.10nm；能量分辨率 0.9eV

放大倍数：

2,500～1,500,000

电子枪：

肖特基场发射电子枪

加速电压：

100/200/300kV

束斑尺寸：

TEM 模式 2～5 nm Φ；EDS、NBD、CBD 模式 0.4～1.6 nm Φ

其他：

聚焦长度 3.0 mm；最小聚焦步长 1.4nm；最大会聚角 ±10º；球差系数 1.1 mm；色差系数 1.8 mm；选区衍射相机常数 200～2,000 mm

相机：

型号 Gatan 994 Ultriscan； 像素 2048×2048

样品杆：

超倾样品杆（±80°倾转）；单倾样品杆；原位加热单倾样品杆（RT～1300℃）；原位加
电样品杆（0～5 V）；原位拉伸单倾样品杆；真空转移杆

其他：

电子能量损失谱及能量过滤成像系统；高角环形暗场探测器 (HAADF)；明、暗场探测器；
扫描透射系统(STEM)；NORAN System 7 X-射线能谱仪 (EDS)

功能及特点：

主要用于分析金属、半导体、陶瓷、高分子、纳米材料的内部显微结构，可结合能量过滤系统/X-射线能谱对材料进行微区成分分析；提供微米直到原子尺度的形貌、晶体结构、化学成分、界面及晶体缺陷等方面的信息，广泛应用于化学、物理学、材料科学、地质学、生物学、医学、高分子、环境科学等领域。

测样要求：

几十纳米以下的薄层样品或者粉末，耐电子束辐照，没有磁性、放射性、毒性和挥发性。

仪器安放地点：

深圳大学城北大园区 B 栋 110

仪器负责人：

赵文光

联系电话：

18126352993

Email：

zhaowg@pku.edu.cn

预约说明：

接受校内预约，校外预约请直接联系仪器负责人

收费说明：

见价目表